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                                                      SQ2398ES-T1_GE3

                                                      SQ2398ES-T1_GE3分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - FET

                                                      • 產(chǎn)品型號:SQ2398ES-T1_GE3
                                                      • 產(chǎn)品品牌:VISHAY/威世
                                                      • 庫存: 10000
                                                      • 貨期:現貨訂貨
                                                      • 所屬分類(lèi): 精工
                                                      詢(xún)價(jià)
                                                      下載資料
                                                      • 產(chǎn)品介紹
                                                      • 在線(xiàn)詢(xún)盤(pán)
                                                      国产免费丝袜调教视频|中文字幕精品亚洲无线|精品人妻少妇一区二区三区不卡|久久天天躁狠狠躁夜夜|亚洲色大成网站www
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                                                                                                    晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
                                                                                                    制造商
                                                                                                    Vishay Siliconix
                                                                                                    系列
                                                                                                    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
                                                                                                    包裝
                                                                                                     
                                                                                                    產(chǎn)品狀態(tài)
                                                                                                    在售
                                                                                                    FET 類(lèi)型
                                                                                                    N 通道
                                                                                                    技術(shù)
                                                                                                    MOSFET(金屬氧化物)
                                                                                                    漏源電壓(Vdss)
                                                                                                    100 V
                                                                                                    25°C 時(shí)電流 - 連續漏極 (Id)
                                                                                                    1.6A(Tc)
                                                                                                    驅動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
                                                                                                    10V
                                                                                                    不同 Id、Vgs 時(shí)導通電阻(最大值)
                                                                                                    300 毫歐 @ 1.5A,10V
                                                                                                    不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值)
                                                                                                    3.5V @ 250µA
                                                                                                    不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值)
                                                                                                    3.4 nC @ 10 V
                                                                                                    Vgs(最大值)
                                                                                                    ±20V
                                                                                                    不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)
                                                                                                    152 pF @ 50 V
                                                                                                    FET 功能
                                                                                                    -
                                                                                                    功率耗散(最大值)
                                                                                                    2W(Tc)
                                                                                                    工作溫度
                                                                                                    -55°C ~ 175°C(TJ)
                                                                                                    安裝類(lèi)型
                                                                                                    表面貼裝型
                                                                                                    供應商器件封裝
                                                                                                    SOT-23-3(TO-236)